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              CVD系統 當前位置:網站首頁 > 產品展示

          PECVD等離子體化學氣相沉積系統

          發布時間:2020-04-10  瀏覽次數:1752


          設備簡介:

          該產品是由固態等離子源、氣體質子流量控制系統、襯底控溫系統、真空系統組成,采用集中總線控制技術的諾巴迪操作軟件。適用于室溫至1200℃條件下進行SiO2、SiNx薄膜的沉積,同時可實現TEOS源沉積,SiC膜層沉積以及液態氣態源沉積其它材料,尤其適合于有機材料上高效保護層膜和特定溫度下無損傷鈍化膜的沉積。





           

           

           

           

           



          配置詳情

          1. 清洗鍍膜一氣呵成,杜絕二次污染;

          2. 上開啟式結構,方便觀察試樣;

          3. 產品采用全自動控制方式,觸摸屏,數字化顯示;

          4. 設備一體化程度高; 

          5. 穩定的射頻電源,均勻的溫度分布,提高成膜質量;

          產品型號

          NBD-PECVD1200-80IT

          電氣規格

          AC220V    4KW

          可達溫度

          1200 ℃

          連續溫度

          1150 ℃

          可達加熱速率

          ≤  20 ℃/分鐘

          射頻電源

          500W   13.56MHz

          爐管尺寸

          Φ80*1200mm

          沉積示意圖

           

          如圖所示:此為該設備沉積過程中的示意圖

          控制系統

           

          1.NBD-101EP嵌入式操作系統中英文互換圖形界面,7寸真彩觸屏輸入,智能式人機對話模式,實時加熱功率顯示,非線性式樣溫度修正;實驗報告自主生成,實驗數據無限次導出。

          2.實驗過程更加直觀,操作更加便捷;

          3.具有超溫報警、斷偶提示、漏電保護等功能。

          溫度精度

          +/- 1 ℃

          加熱元件

           

          Mo摻雜的Fe-Cr-Al合金

          密封系統

           

           

           

          真空度:≤10Pa(機械泵)

          壓力測量與監控

           

          采用數顯真空計,可使設備真空度更加直觀,實驗結果更加準確。

          供氣系統

          采用兩路質子流量計精確控制氣體流速,與設備集成為一體;

          凈重

          360KG

          設備使用注意事項

          1. 設備爐膛溫度≥300℃時,禁止打開爐膛,避免受到傷害;

          2. 設備使用時,爐管內壓力不得超過0.125MPa(絕對壓力),以防止壓力過大造成設備損壞;

          3. 真空下使用時,設備使用溫度不得超過800℃。

             4. 供氣鋼瓶內部氣壓較高,向爐管內通入氣體時,氣瓶上必須安裝減壓閥,建議在選購試驗用小壓力減壓閥,減壓閥量程為0.01MPa-0.15MPa,使用時會更加精確安全。

             5.當爐體溫度高于1000℃時,爐管內不可處于真空狀態,爐管內的氣壓需和大氣壓 相當,保持在常壓狀態;

             6.高純石英管的長時間使用溫度≦1100℃

             7.加熱的實驗時,不建議關閉爐管法蘭端的抽氣閥和進氣閥使用。若需要關閉氣閥對樣品加熱,則需時刻關注壓力表的示數,若氣壓表示數大于0.02MPa,必須立刻打開排氣端閥門,以防意外發生(如爐 管破裂,法蘭飛出等)


          服務支持

          1年質保,提供終身支持(保修范圍內不包括易耗部件,例如爐管和密封圈等)。 


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